买卖IC网 >> 产品目录 >> BLA1011S-200 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS datasheet RF/IF 和 RFID
型号：

BLA1011S-200

库存数量：可订货
制造商：NXP Semiconductors
描述：射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS
RoHS：否
详细参数
参数
数值
产品分类 RF/IF 和 RFID >> 射频MOSFET电源晶体管
描述 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS
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制造商 NXP Semiconductors
配置 Single
晶体管极性 N-Channel
频率 1.03 GHz to 1.09 GHz
增益 13 dB
输出功率 200 W
汲极/源极击穿电压 75 V
漏极连续电流
闸/源击穿电压 +/- 22 V
最大工作温度 + 150 C
封装 / 箱体 SOT-538B
封装 Reel
相关资料
属性
链接
代理商 BLA1011S-200
BLA1011S-200,112
BLA1011S-200R
BLA1011S-200R,112
BLA2ABB221SN4D
BLA2ABB470SN4D
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  • BLA1011S-200 参考价格
  • 价格分段 单价(美元) 总价